离线双银Low-E镀膜玻璃膜系开发浅谈目前国内使用的Low-E镀膜玻璃产品主要是单银Low-E镀膜玻璃，只有少数几家玻璃加工企业可以生产双银Low-E镀膜玻璃（以下简称双银Low-E），且具有较成熟的生产技术，而这几家玻璃企业所生产的双银Low-E多为自产自用。随着国家建筑节能要求的不断提升，建筑节能性能更高的双银Low-E的需求量也在不断提高。目前国内Low-E玻璃市场中，双银Low-E使用量不到单银Low-E使用量的10％。限制双银Low-E推广和使用的原因主要有两点：一是双银Low-E镀膜玻璃工艺技术难度较大，生产技术整体不够成熟；二是双银Low-E市场价格较高。所以，只有了解双银Low-E膜系的开发过程，解决双银Low-E在生产中的关键技术问题，实现双银Low-E镀膜玻璃的产品质量和产量的稳定，才能够使这种节能性能更高的产品的成本降低，并得到更广泛的推广和使用。本文即通过双银Low-E膜系开发过程的分析，明确了在双银Low-E镀膜玻璃膜系的开发过程中应注意的问题，并从实际生产的角度提出了一些对于双银Low-E膜系开发的建议。
1技术背景 真空磁控溅射镀膜技术是通过真空磁控溅射镀膜机实现的，镀膜机内由不同级别的真空泵抽气，在系统内营造出一个镀膜所需的真空环境，真空度要达到Low-E镀膜所需的本底真空，一般在（1~5）10-8Pa。在真空环境中向靶材（阴极）下充入工艺气体氩气（Ar），氩气在外加电场（由直流或交流电源产生）作用下发生电离生成氩离子（Ar+），同时在电场E的作用下，氩离子加速飞向阴极靶并以高能量轰击靶表面，使靶材产生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在玻璃基片上形成薄膜。同时被溅射出的二次电子在阴极暗区被加速，在飞向基片的过程中，落入设定的正交电磁场的电子阱中，直接被磁场的洛伦兹力束缚，使其在磁场B的洛伦兹力作用下，以旋轮线和螺旋线的复合形式在靶表面附近作回旋运动。电子e的运动被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子区域内，使其到达阳极前的行程大大增长，大大增加碰撞电离几率，使得该区域内气体原子的离化率增加，轰击靶材的高能Ar+离子增多，从而实现了磁控溅射高速沉积的特点。在运用该机理开发Low-E膜系的过程中，要注意以下几个问题：①保证整体工艺中各个环节的可靠性。具体包括靶材质量、工艺气体纯度、原片新鲜程度、原片清洗质量等基础因素，这一系列因素会对Low-E镀膜玻璃产品的最终质量产生影响。②选择合适的靶材。要建立的膜系是通过对阴极的前后顺序布置实现的。③控制好各环节的工艺性能及参数。如适合的本底真空度、靶材适用的溅射功率、工艺气体和反应气体用量与输入均匀性、膜层厚度等。总之，只有控制好以上各因素，才能够保证所开发的双银Low-E镀膜玻璃具有稳定的颜色、优异的机械性能和可加工性。此外，在双银膜系开发过程中，原始数据的积累和归纳分析非常重要。原始数据应该包括：膜层结构、各个单层膜的厚度和均匀性调试数据、双银Low-E样片的光学参数、面电阻及理化性能试验数据等。
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